廣州偉源光電科技有限公司官網
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事實上，microLED制造中遇到的問題遠比以下列舉的挑戰更多。而且因為這些挑戰和問題的存在，有分析與咨詢機構猜測，microLED未必會成為顯示技術的未來——畢竟電子行業內竹籃打水一場空的先例也不在少數。而且如前文所述，在通往microLED屏幕的這條路上，還沒有一個市場參與者約定俗成的標準化道路，這也進一步增加了microLED的不確定性。
總的來說，microLED的幾個重大技術挑戰包括了：mass transfer——也就是在microLED制造流程中，將LED從原wafer，遷移到背板上的過程；microLED現階段較低的發光效率（EQE）；以及microLED更需要從系統的角度來選擇不同階段的工藝技術；還有背板基板的制造、RGB三色實施方案等。
首先，比較為人所知的應該就是mass transfer了。國內有譯作“巨量轉移”的，就是將LED移到背板上的過程。前文提到的InGaN、AlGaInP不同色光也就是RGB的LED，生長在不同的襯底上，這種wafer上的外延生長有相對成熟的方案，當然這個過程本身也不同于常規方案。
但更大的挑戰出現在轉移這些LED的過程中，畢竟當這些LED的尺寸小到microLED像素級別，而且多達幾千萬顆的程度，比如4K分辨率有超過800萬個像素，每個像素又有RGB三個子像素，就有超過2400萬顆LED需要轉移；轉移效率、對齊精度、良率等相關的工藝難度就會大出許多。
現有研究成果的主流方案有兩類，分別是直接整片全體轉移，以及間接的pick-and-place（拾取并放置）。整片轉移采用wafer-to-wafer或者die-to-wafer bonding的方法，這種方案適用于高ppi的小屏幕；而pick-and-place則比較復雜，是每次拿取一部分microLED做貼裝，并重復這個動作，有時需要借用載體。對于大尺寸顯示面板而言，這種方案是更加適用的。
Pick-and-place技術有比較高的復雜度，不同的市場參與者和研究機構有不同的方案，比如說electrostatic transfer head、elastomer stamp transfer printing，以及fluidic transfer、激光剝離等。
除了mass transfer之外，microLED效率低下也是個大難題。如前文所述，microLED的EQE顯著低下。EQE是指發射到外部的光子數，與流過結的載流子數目之比。EQE越大，則LED發光效率越高。解決microLED的發光效率問題，是這類屏幕實現大規模量產的基礎。
microLED尺寸小，在大屏幕上受到比較嚴重的側壁效應影響（傳統LED本身很大，邊緣的尺寸相對的比例并不大，側壁效應影響很小）。各種側壁缺陷主要是蝕刻過程中出現的，這些缺陷會導致非輻射復合。低電流密度下，microLED的效率將非常低下。改進方法包括新型的LED芯片結構設計、工藝流程改進等，減少側壁效應、提升EQE。
不過似乎現有microLED方案EQE仍遠低于常規大尺寸的LED。在此，不同色的microLED材料選擇也會成為制造中的難點。
再有，從更系統的角度來看，microLED的生產制造對更多領域的專業知識有了新要求，包括晶圓制造、外延生長、mass transfer、背板制造等。而且每個階段都還沒有明確、統一的技術方向；它們彼此之間還形成了環環相扣的關系，甚至還需要考慮到最終應用是什么，才能明確不同環節采用何種方案。
microLED相關的挑戰還包括測試方面的（更小的microLED對測試提出了高得多的要求，而且整個鏈條上的每個階段都需要做測試；需要開發新的測試方法；采用系統的工程方法覆蓋整個生產流程）；以及一些更細致的問題，如外延生長過程中波長一致性的控制，LED結構設計中波長偏移、光譜FWHM的降低，像素發光串擾的控制（類似于miniLED一文中提到的光暈效應），以及電路設計中提升波長與亮度一致性的補償電路等等。
在microLED這種技術的發展下，顯示行業可能會發生翻天覆地的變化。只是在針對microLED市場的諸多猜測中，仍有相當一部分是對microLED技術的質疑；即便從現有市場參與者的角度，他們都仍然認為microLED的成熟可能還需要一段時間。市場仍有一定概率出現，microLED會向前發展，但LCD和OLED仍長期統治市場的局面。要知道，某個企業甚至行業點錯技能樹的情形，在科技領域是相當廣泛的，但我們期待著microLED的進步和成熟。
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